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厂商型号

FJA4210YTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-FJA4210YTU

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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FJA4210YTU产品详细规格

规格书 FJA4210YTU datasheet 规格书
Status Obsolete
RoHS No
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 200 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 140 V
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极最大直流电流 10 A
增益带宽产品fT 30 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 90
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-3P
最大功率耗散 100000 mW
最低工作温度 - 55 C
封装 Tube
寿命 Obsolete

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